ファーウェイ、2031年までに1.4nm相当のプロセスを実現すると発表
ファーウェイは、2031年までに1.4nm相当のトランジスタ密度を実現するプロセス技術を開発すると発表した。中国の半導体製造能力の強化を目指す同社のロードマップの一環であり、既存の微細化リーダーとの技術格差を縮める野心的な目標となっている。
ファーウェイは、2031年までに1.4nm相当のトランジスタ密度を実現するプロセス技術を開発すると発表した。中国の半導体製造能力の強化を目指す同社のロードマップの一環であり、既存の微細化リーダーとの技術格差を縮める野心的な目標となっている。