Future Transistor Stacking Plans Start to Diverge IBM, Intel, Samsung, and TSMC
IBM、Intel、Samsung、TSMCなど半導体大手各社が、次世代トランジスタ技術である相補型FET（CFET）の積層計画について異なるアプローチを示している。CFETは従来のFinFETやGAAFETに代わる技術として期待され、さらなる微細化と性能向上を実現する。各社は積層方法や導入時期で戦略が分かれつつあり、今後の半導体業界の方向性を左右する重要な分岐点となっている。
背景メモ
半導体業界では、トランジスタの微細化（ムーアの法則の延命）の次なる一手として「CFET（相補型電界効果トランジスタ）」と呼ばれる構造が注目されている。これは従来のFinFETやGAA（ゲート・オール・アラウンド）型からさらに進み、n型とp型のトランジスタを垂直に積み重ねる設計で、チップ面積あたりの性能を飛躍的に高める。</parameter>