IBM 宣布新型“公寓楼”设计突破：助力超微型芯片发展

- IBM 宣布了一项芯片制造突破：在 2 纳米级制程上，首次将晶体管布置成类似“公寓楼”（即垂直堆叠而非水平排列）的 3D 结构，从而在不缩小单个晶体管物理尺寸的情况下大幅提升密度。 - 该技术名为 VTFET（垂直传输场效应晶体管），与英特尔、台积电等竞争对手正在研发的 CFET（互补场效应晶体管）属于同一方向，但 IBM 率先展示了可用于量产的工艺结果。 - 背景是“摩尔定律”放缓：传统上靠微缩晶体管间距提升性能的路径越来越难，产业界转向 3D 堆叠、新材料和新架构来延续进步。 - IBM 虽已剥离芯片制造业务（将其晶圆厂交给格芯），但仍在奥尔巴尼纳米技术中心保留先进工艺研发能力，并靠专利授权和示警式发布来影响产业方向。 - 对普通用户的意义：这项技术可能在未来五年左右让手机、笔记本电脑的能效大幅提升，或让数据中心芯片的功耗显著降低，但距离实际商品化还有多年。