未来晶体管堆叠计划出现分歧:IBM、英特尔、三星和台积电
随着芯片工艺微缩逼近物理极限,IBM、英特尔、三星和台积电在晶体管堆叠技术路径上开始分道扬镳。各厂商提出了不同的CFET(互补场效应晶体管)堆叠方案,旨在延续摩尔定律。文章分析了这些技术路线的差异及其对未来芯片设计的影响。
背景速读
- 晶体管是芯片的基本开关单元;几十年来业界靠缩小尺寸(摩尔定律)来提升性能,但物理极限已逼近,单纯的缩小越来越难。
- CFET(互补场效应晶体管)是一种将 N 型与 P 型晶体管垂直堆叠在同一个硅片上的结构,相当于把原本平铺的器件“摞起来”,可以大幅节省面积、降低连线延迟。
- IBM、Intel、Samsung、台积电这四家是仅有的能制造最先进芯片的厂商。它们对何时以及如何引入 CFET 的路线图现在出现分歧:有的倾向于先做简化版的“单层堆叠”,有的直接上马完整的 CFET。
- 这篇文章出自 IEEE Spectrum,是科技工程领域的权威媒体;它梳理了各家的技术方案差异,并分析了背后不同的工艺节点时间表与设计权衡。这对理解下一代半导体制造的方向很关键。